STF10N80K5是一款N沟道MOSFET晶体管。具体功能和特点如下：
1. N沟道MOSFET：STF10N80K5是一款N沟道MOSFET晶体管，指的是其沟道区域是由N型材料构成的。N沟道MOSFET具有低开启电压和较高的导通能力，适用于开关和放大电路等应用。
2. 低导通电阻：STF10N80K5具有较低的导通电阻，能够提供较低的导通压降和较高的电流承载能力。这使得它在高功率应用中能够有效地降低功耗和热量产生，提高系统的效率。
3. 高电压能力：STF10N80K5的额定电压为800V，能够承受较高的电压。这使得它适用于一些高压应用场景，如电源开关、电机驱动、照明系统等。
4. 快速开关速度：该晶体管具有快速的开关速度，能够实现快速的开关和切换操作。这对于一些需要高频率操作的应用，如开关电源、无线通信等，非常重要。
5. 热稳定性和可靠性：STF10N80K5具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下保持稳定的性能。它采用了高质量的材料和制造工艺，具有较低的漏电流和较高的抗击穿能力。
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
635 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
